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研究了HfO2 / Co界面和Co / HfO2界面对垂直Co / Pt多层膜中异常霍尔效应（AHE）的热稳定性的影响。 观察到，在具有HfO2 / Co界面的垂直Co / Pt多层膜中无法获得热稳定的AHE行为，这主要是由于退火过程中Co-Pt的相互...
单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算，冯丽萍，刘正堂，利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了单斜晶相二氧化铪(m-HfO2)的电子结构，得到了m-HfO2的总态密度、分波态�
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计算顶刊系列报道（四）
标签： 科研
这项研究为湿实验室化学家设计新的合成策略，以产生模拟膜传输的多功能人工离子通道，用于诊断、传感器和下一代水处理技术等方面提供了关键信息和进一步的启发等，由于合成通道以可控的方式在双分子层中运输分子离子...
在这封信中，首次在辐射条件下研究了具有金属-绝缘体-金属结构的基于HfO2的铁电随机存取存储器（FeRAM）。 掺Y的基于HfO2的FeRAM器件对60Coγ射线辐射显示出高度的抵抗力。 FeRAM的基本参数（例如漏电流，介电常数，...
HfO2薄膜的电阻开关效应(1) • 几种存储器原理与性能比较 • 电致电阻材料与研究现状 • 电阻存储器原理与基本机制 • 氧化铪的研究现状
HfO2/SiO2 multilayer films were deposited on BK7 glass substrates by electron beam evaporation method. The effects of annealing at the temperature between 200 and 400 centigrade on residual stresses ...
密度泛函理论研究了用HfCl4和Al（CH3）3作为前体，HfO2和Al2O3在硅表面的原子层沉积的机理，其包括2个沉积半反应：（1）HfCl4和Al―OH＊的表面反应；（2）Al（CH3）3和Hf-OH＊的表面反应。计算结果表明，2个半反应...
在此概述中，研究了具有Pt / HfO2 / Ti结构的电阻式随机存取存储器（RRAM）在辐射环境中的应用。 使用HIRFL（兰州的重离子研究设施）的重离子86Kr26 +作为辐射源。 86Kr26 +的能量为25 MeV / u，LET的能量为37.6 MeV...
使用原子层沉积工具沉积HfO2，并通过化学气相沉积法生长ML-MoS2。 对于HfO2 / ML-MoS2接口，未经任何处理即可获得1.98 eV的价带偏移（VBO）和2.72 eV的导带偏移（CBO）。 用CHF3等离子体处理，发现HfO2 / ML-MoS2...
以HfO2作为电子阻挡层的n-ZnO / p-Si异质结的发光改善
在这封信中，证明了具有SiO 2 / HfO 2的堆叠金属FG存储单元 双层工程隧穿势垒显示出良好的存储特性。 它以较低的工作电压以及增强的编程/擦除速度提供了良好的性能。 此外，还获得了数据保留的改善，证明了SiO 2 / ...
文章采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了四方晶相HfO2的电子结构。经带隙校正后，计算了四方晶相HfO2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系，包括复介电...
The possible role of metal clusters and electronic defects in the near-ultraviolet, nanosecond-pulse–laser damage in HfO2/SiO2-pair-based coatings is analyzed using experimental results on absorption...
基于HfO2的RRAM的渐进式单极RESET过渡中的电压和功率控制机制
HfO2中氧空位对电荷陷阱记忆的影响的首要原理研究
TiO2/HfO2核壳纳米管阵列染料敏化太阳能电池的光电性能，谢剑，张军，在染料敏化太阳能电池（Dye-sensitized solar cells, DSSC）中，减少光阳极与其他组分构成的界面电子复合造成的损失是提高DSSCs光电转换效率�
Transition from isolated submicrometer pits to integral ablation of HfO2 and SiO2 films under subpicosecond irradiation
基于HfO2的电阻开关记忆中的氧空位效应：第一个原理研究
Impact of native defects and impurities in m-HfO2 and -Si3N4 on charge trapping memory devices: A first principle hybrid functional study
本文研究了外部电场对Ni（001），Ni（111），HfO2（001）和HfO2（111）薄膜功函数的影响以及Ni（001）/ HfO2（基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理研究了001）和Ni（111）/ HfO2（111）界面。 发现所有系统的功函数...
对电子束蒸发HfO2, SiO2块状材料镀制的基频高反膜进行了1-on-1和R-on-1阈值测试,比较分析了两种测试情况下出现的典型损伤形貌。实验发现, R-on-1测试表现出明显的预处理效应, 其所测抗激光损伤阈值是1-on-1测试的3倍...
The impurities in two kinds of HfO2 materials and in their corresponding single layer thin films were determined through glow discharge mass spectrum technology and secondary ion mass spectrometry ...
通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍射(XRD)等测试对HfO2薄膜进行表征,研究了退火对HfO2薄膜结构及发光特性的影响。室温下对薄膜进行了光致发光光谱测试发现存在4个发射峰,退火后的样品发光强度明显...
研究了双极性Cu / HfO2 / Pt电阻随机存取存储器（RRAM）的RESET开关。 利用统计方法，我们系统地分析了RESET电压（V-RESET）和RESET电流（I-RESET）。 根据原始实验数据的散点图，V-RESET根据R-ON显示U形分布。 通过...
The accumulation effects in high-reflectivity (HR) HfO2/SiO2 coatings under laser irradiation are investigated. The HR HfO2/SiO2 coatings are prepared by electron beam evaporation at 1 064 nm. The ...
由单层HfO2,SiO2,Y2O3,Al2O3膜求出其折射率和消光系数色散曲线,据此计算出HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2,Al2O3/SiO2的193 nm多层膜反射膜曲线,并用电子束热蒸发的方法进行镀制。由分光光度计测量样品的透射率和绝对反射率,求...
在本文中，我们展示了一种嵌入HfO2高k电介质中的Au-Al2O3核壳纳米晶体（NC）的电荷陷阱存储器。 透射电子显微镜图像清楚地显示了在HfO2基质中被Al2O3壳包围的Au NCs。 电气测量显示出相当大的存储窗口（在+/- 8V时为...
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